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Quantum Size Effect on Dielectric Properties of Ultrathin Metallic Film: A First-Principles Study of Al(111)

机译:量子尺寸对超薄金属薄膜介电性能的影响:   al(111)的第一性原理研究

摘要

Quantum manifestations of various properties of metallic thin films byquantum size effect (QSE) have been studied intensively. Here, usingfirst-principles calculations, we show quantum manifestation in dielectricproperties of Al(111) ultrathin films. The QSE on the dielectric function isrevealed, which arises from size dependent contributions from both intrabandand interband electronic transitions. More importantly, the in-plane interbandtransitions in the films thinner than 15 monolayers are found to be smallerthan the bulk counterpart in the energy range from 1.5~eV to 2.5~eV. Thisindicates less energy loss with plasmonic material of Al in the form ofultrathin film. Our findings may shed light on searching for low-loss plasmonicmaterials via quantum size effect.
机译:通过量子尺寸效应(QSE)对金属薄膜的各种性能的量子表现进行了深入研究。在这里,使用第一性原理计算,我们显示了Al(111)超薄膜的介电性能中的量子表现。揭示了介电函数的QSE,这是由带内和带间电子跃迁的尺寸相关贡献引起的。更重要的是,发现在小于15个单分子层的薄膜中,在1.5〜eV到2.5〜eV的能量范围内,其平面内带间跃迁要小于体相跃迁。这表明Ultrathin薄膜形式的Al等离子体材料的能量损失较小。我们的发现可能有助于通过量子尺寸效应寻找低损耗的等离子体材料。

著录项

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  • 年度 2014
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  • 正文语种 {"code":"en","name":"English","id":9}
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